삼성전자가 30조원을 투자한 세계 최대 규모의 반도체 공장을 가동한다. D램 양산을 시작으로 낸드플래시, 파운드리(반도체 위탁생산) 제품을 만드는 평택캠퍼스를 미래 반도체 생산거점으로 성장시키겠다는 목표다.

삼성전자는 평택 2라인의 가동을 시작했다고 30일 밝혔다. 평택 2라인에서는 업계 최초로 자외선(EUV) 공정을 적용한 3세대 10나노급 LPDDR5 모바일 D램이 생산된다.

이번에 출하하는 16기가비트(Gb) LPDDR5 모바일 D램은 메모리 양산 제품 중 처음으로 EUV 공정이 적용된 제품이다. 삼성전자는 “EUV 공정을 적용해 회로를 새기는 작업을 반복하는 멀티패터닝 공정을 줄이면서 패터닝의 정확도를 높였다”며 “성능과 수율은 높이고 제품 개발 기간은 단축했다”고 설명했다.

16Gb LPDDR5 모바일 D램은 8개의 칩만으로 16기가바이트(GB) 제품 구성이 가능해 기존 12개 칩이 필요했던 제품에 비해 30% 더 얇은 패키지를 만들 수 있다. 동시에 기존 플래그십 스마트폰용 12Gb 모바일 D램 대비 16% 빠른 속도 구현이 가능하다.

멀티카메라, 5G 등 부품 수가 많은 스마트폰과 폴더블폰 같이 두께가 중요한 제품에 최적이다.

이정배 삼성전자 메모리사업부 D램 개발실 부사장은 “이번 16Gb LPDDR5는 역대 최고 개발 난도를 극복하고 미세공정 한계를 돌파하기 위한 새로운 패러다임을 제시한 제품”이라며 “프리미엄 D램 라인업을 지속 확대해 메모리 시장 확대에 기여해 나갈 것”이라고 밝혔다.

삼성은 지난 5월 평택 2라인에 파운드리 생산시설 구축계획을, 6월 낸드플래시 생산시설 투자계획을 발표했다. 두 라인은 내년 하반기 본격 가동될 예정이다.

평택 2라인에 집행된 투자 규모는 30조원으로 삼성전자는 4000명의 인원을 직접고용할 예정이다. 협력사와 건설 인력 등을 포함하면 3만명 이상의 고용 창출 효과가 기대된다.

업계에서는 삼성전자의 적극적인 반도체 투자에 이재용 삼성전자 부회장의 의지가 반영된 것으로 보고 있다. 이 부회장은 올해 초 화성의 반도체연구소와 생산라인을 방문해 EUV 기술개발 현황과 라인 가동 상황을 점검하는 등 꾸준한 관심을 보여왔다. 지난 5월 평택 2라인 파운드리 구축을 결정하며 이 부회장은 “어려운 때일수록 미래를 위한 투자를 멈춰서는 안 된다”며 투자 의지를 표했다.

권민지 기자 10000g@kmib.co.kr