메모리 반도체 글로벌 1위인 삼성전자가 세계 최초로 3세대 10나노급 D램 개발에 성공했다.

미세공정의 한계를 극복해 초격차 사업 경쟁력을 확보하고, 경쟁사들과의 기술 격차를 벌리며 메모리 분야 최강자의 지위를 재확인했다는 평가다.

삼성전자는 21일 세계에서 처음으로 3세대 10나노급 8Gb(기가비트) DDR4 D램(사진)을 개발했다고 밝혔다. 2017년 11월 2세대 10나노급 D램을 양산하기 시작한 지 16개월 만이다.

3세대 10나노급 D램은 2세대 D램보다 생산성이 20% 향상되고 속도 증가에 따른 전력효율도 개선됐다.

삼성전자는 신제품에 대해 “세계적인 중앙처리장치(CPU) 업체의 모든 평가 항목에서 승인을 마쳐 글로벌 IT 고객의 수요를 본격 확대할 수 있을 것”이라고 강조했다.

업계에서는 삼성전자가 세계 최초로 3세대 10나노급 D램을 개발하면서 프리미엄 메모리 기술 지배력이 더욱 공고해질 것으로 보고 있다. 삼성전자는 D램 시장에서 점유율 40% 이상을 확보하고 있다. SK하이닉스, 마이크론 등 D램 경쟁사들과 삼성전자의 기술 격차는 1년 정도 차이 나는 것으로 분석된다.

삼성전자는 이르면 오는 3분기부터 3세대 10나노급 D램을 본격 양산할 방침이다. 2020년에는 성능과 용량을 동시에 높인 차세대 D램 DDR5와 LPDDR5 등을 본격적으로 공급할 계획이다. DDR은 D램의 동작 속도로 규정하는 반도체 규격이다. 데이터를 읽고 쓰는 속도에 따라 DDR1부터 DDR5까지 구분되며 숫자가 높을수록 데이터 처리속도가 기존 대비 2배 빨라진다. 삼성전자는 고객사들의 공급 요구 수준을 반영해 경기도 평택의 최신 D램 생산라인에서 주력 제품의 생산비중을 확대하고 있다.

이정배 삼성전자 메모리사업부 D램개발실 부사장은 “혁신적인 D램 기술 개발로 초고속·초절전 차세대 라인업을 적기에 출시하게 됐다”며 “향후 프리미엄 D램 라인업을 지속적으로 늘려 프리미엄 메모리 시장의 빠른 성장세 실현에 이바지할 것”이라고 말했다.

유성열 기자